晶圓（wafer）由純硅（Si）構成。 一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基于這個wafer上生產出來的。 高(gao)純度(du)的半導體經過拉晶、切片等(deng)工(gong)序制備成(cheng)的硅(gui)晶(jing)片，由(you)于其(qi)形狀為圓形，故(gu)稱為晶(jing)圓；在硅(gui)晶(jing)片上可加(jia)工制作成(cheng)各種電(dian)路(lu)元(yuan)件結構(gou)，而成(cheng)為有特定電(dian)性功能的集成(cheng)電(dian)路(lu)產品。晶圓經過一系列半導體制造工藝形成極微小的電路結構，再經切割、封裝、測試成為芯片，廣泛應用到各類電子設備當中。 晶圓材料經歷了 60 余年的技術演進和產業發展，形成了當今以硅為主、新型半導體材料為補充的產業局面。                             

全世界80%的手機和電腦由中國生產。中國的高性能芯片95%依靠進口，于是中國每年要花費2200億美元去進口芯片，該數額為中國全年石油進口額的2倍。所有與光刻機和芯片生產相關的設備和材料也受到封鎖，比如晶圓片、高純金屬、刻蝕機等等。

今天我們就淺談晶圓機UV光擦除原理。在數據寫入時，需要通過給柵極加上高電壓 VPP ，如下圖所示，向浮置柵注入電荷。注人后的電荷由于不具備穿透硅氧化膜能壁的能量，因而只能維持現狀，所以我們必須給予電荷一定的能量！而這時候就需要用到紫外線了。

當浮置柵接收到紫外線的照射，浮置柵中的電子接收了紫外線光量子的能量，則電子變成具有穿透硅氧化膜能壁能量的熱電子。如圖 所示，熱電子穿透硅氧化膜，流向基板和柵極，恢復為擦除狀態。擦除操作，只能通過接收紫外線的照射來進行，而不能進行電子擦除。也就是說，只能夠進行由 “ 1 ” 向 “ 0 ” 改變比特數，而在反方向上．除擦除芯片全部內容的方法以外，再沒有其他的方法。

我們知道，光的能量與光的波長成反比例關系，為了讓電子成為熱電子，從而具有穿透氧化膜的能量，就非常需要波長較短的光即紫外線的照射。由于擦除時間決定于光量子的數目，因而即使在波長較短的情況下，也不能縮短擦除時間。一般地，當波長為 4000A （ 400nm ）左右時才開始進行擦除。在 3000A 左右基本達到飽和。低于 3000A 以后，波長即使再短，對于擦除時間也不會產生什么影響。

UV擦除的(de)標準一般為接受精(jing)準波長的(de) 253.7nm ，強度(du) ≥16000 μ W /cm²的(de)紫(zi)外線 30 分鐘至(zhi)3小時不(bu)等的(de)照射(she)時長，即可完成(cheng)其擦除操作(zuo)。